Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
1

Simulation study on 4H–SiC power devices with high-k dielectric FP terminations

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 991 KB
english, 2012
3

Non-ideal effect in 4H–SiC bipolar junction transistor with double Gaussian-doped base

Рік:
2015
Мова:
english
Файл:
PDF, 471 KB
english, 2015
8

Study of 4H-SiC junction barrier Schottky diode using field guard ring termination

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.52 MB
english, 2010
10

Accurate approximations for the complete elliptic integral of the second kind

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 329 KB
english, 2016
18

Characteristics of the intrinsic defects in unintentionally doped 4H–SiC after thermal annealing

Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 580 KB
english, 2011
20

Microstructural characterization of Cu-poor Cu (In, Ga)Se2 surface layer

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.02 MB
english, 2012
29

Drain avalanche breakdown and gate instabilities in 4H-SiC MESFET's

Рік:
2004
Мова:
english
Файл:
PDF, 172 KB
english, 2004
34

An Efficient Total Synthesis of (±)-Stemonamine

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 243 KB
english, 2008
42

Theoretical investigation of incomplete ionization of dopants in uniform and ion-implanted 4H-SiC MESFETs

Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 252 KB
english, 2003
47

Resources and Biological Activities of Natural Polyphenols

Рік:
2014
Мова:
english
Файл:
PDF, 331 KB
english, 2014